APTM100H45SCTG 數據表
規格 APTM100H45SCTG
零件號 : APTM100H45SCTG
製造商 : Microsemi Corporation
描述 : MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
系列 : POWER MOS 7®
零件狀態 : Active
FET型 : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET特點 : Standard
漏極至源極電壓（Vdss） : 1000V (1kV)
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 18A
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 540 mOhm @ 9A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 : 5V @ 2.5mA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 154nC @ 10V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 4350pF @ 25V
功率 - 最大 : 357W
工作溫度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Chassis Mount
封裝/箱體 : SP4
供應商設備封裝 : SP4
重量 : -
條件 : 新的和原始的
質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
簡要描述;簡介
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
4112 件
參考價
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