BSG0811NDATMA1 數據表
規格 BSG0811NDATMA1
零件號 : BSG0811NDATMA1
製造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
系列 : OptiMOS™
零件狀態 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET特點 : Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss） : 25V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 19A, 41A
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 3 mOhm @ 20A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 : 2V @ 250µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 8.4nC @ 4.5V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 1100pF @ 12V
功率 - 最大 : 2.5W
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
封裝/箱體 : 8-PowerTDFN
供應商設備封裝 : PG-TISON-8
重量 : -
條件 : 新的和原始的
質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
簡要描述;簡介
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
449785 件
參考價
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