BUK652R0-30C,127 數據表
規格 BUK652R0-30C,127
零件號 :
BUK652R0-30C,127
製造商 :
NXP USA Inc.
描述 :
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
系列 :
TrenchMOS™
零件狀態 :
Obsolete
FET型 :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss） :
30V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
120A (Tc)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） :
4.5V, 10V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
2.2 mOhm @ 25A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 :
2.8V @ 1mA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
229nC @ 10V
VGS（最大） :
±16V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
14964pF @ 25V
FET特點 :
-
功率耗散（最大） :
306W (Tc)
工作溫度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型 :
Through Hole
供應商設備封裝 :
TO-220AB
封裝/箱體 :
TO-220-3
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
62250 件
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