EPC2010 數據表
規格 EPC2010
零件號 : EPC2010
製造商 : EPC
描述 : GANFET TRANS 200V 12A BUMPED DIE
系列 : eGaN®
零件狀態 : Discontinued at Digi-Key
FET型 : N-Channel
技術 : GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss） : 200V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 12A (Ta)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） : 5V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 25 mOhm @ 6A, 5V
VGS（TH）（最大）標識 : 2.5V @ 3mA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 7.5nC @ 5V
VGS（最大） : +6V, -4V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 540pF @ 100V
FET特點 : -
功率耗散（最大） : -
工作溫度 : -40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : Die
封裝/箱體 : Die
重量 : -
條件 : 新的和原始的
質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
AX-EPC2010
製造商
簡要描述;簡介
GANFET TRANS 200V 12A BUMPED DIE
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
10080 件
參考價
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