EPC2107ENGRT 數據表
規格 EPC2107ENGRT
零件號 : EPC2107ENGRT
製造商 : EPC
描述 : GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
系列 : eGaN®
零件狀態 : Active
FET型 : 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET特點 : GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss） : 100V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 1.7A, 500mA
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
VGS（TH）（最大）標識 : 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
功率 - 最大 : -
工作溫度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
封裝/箱體 : 9-VFBGA
供應商設備封裝 : 9-BGA (1.35x1.35)
重量 : -
條件 : 新的和原始的
質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
AX-EPC2107ENGRT
製造商
簡要描述;簡介
GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
538710 件
參考價
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