規格 FQI5N60CTU

零件號 : FQI5N60CTU
製造商 : ON Semiconductor
描述 : MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
系列 : QFET®
零件狀態 : Active
FET型 : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss) : 600V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 4.5A (Tc)
驅動電壓(最大RDS(ON),閔RDS(ON)) : 10V
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 2.5 Ohm @ 2.25A, 10V
VGS(TH)(最大)標識 : 4V @ 250µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 19nC @ 10V
VGS(最大) : ±30V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 670pF @ 25V
FET特點 : -
功率耗散(最大) : 3.13W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Through Hole
供應商設備封裝 : I2PAK (TO-262)
封裝/箱體 : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
重量 : -
條件 : 新的和原始的
質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
912420 件
參考價
USD 0
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