GA10JT12-263 數據表
規格 GA10JT12-263
零件號 : GA10JT12-263
製造商 : GeneSiC Semiconductor
描述 : TRANS SJT 1200V 25A
系列 : -
零件狀態 : Active
FET型 : -
技術 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss） : 1200V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 25A (Tc)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） : -
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 120 mOhm @ 10A
VGS（TH）（最大）標識 : -
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : -
VGS（最大） : -
輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 1403pF @ 800V
FET特點 : -
功率耗散（最大） : 170W (Tc)
工作溫度 : 175°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : -
封裝/箱體 : -
重量 : -
條件 : 新的和原始的
質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
AX-GA10JT12-263
簡要描述;簡介
TRANS SJT 1200V 25A
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
32480 件
參考價
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