規格 IPB120N04S4L02ATMA1
零件號 : IPB120N04S4L02ATMA1
製造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET N-CH TO263-3
系列 : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件狀態 : Active
FET型 : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss） : 40V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 120A (Tc)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） : 4.5V, 10V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 1.7 mOhm @ 100A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 : 2.2V @ 110µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 190nC @ 10V
VGS（最大） : +20V, -16V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 14560pF @ 25V
FET特點 : -
功率耗散（最大） : 158W (Tc)
工作溫度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : D²PAK (TO-263AB)
封裝/箱體 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 : -
條件 : 新的和原始的
質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH TO263-3
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
399190 件
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