IRF640NLPBF 數據表
規格 IRF640NLPBF
零件號 :
IRF640NLPBF
製造商 :
Infineon Technologies
描述 :
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
系列 :
HEXFET®
零件狀態 :
Active
FET型 :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss） :
200V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
18A (Tc)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） :
10V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
150 mOhm @ 11A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 :
4V @ 250µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
67nC @ 10V
VGS（最大） :
±20V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
1160pF @ 25V
FET特點 :
-
功率耗散（最大） :
150W (Tc)
工作溫度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型 :
Through Hole
供應商設備封裝 :
TO-262
封裝/箱體 :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
AX-IRF640NLPBF
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
228090 件
參考價
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