IRG8CH50K10F 數據表
規格 IRG8CH50K10F
零件號 : IRG8CH50K10F
製造商 : Infineon Technologies
描述 : IGBT CHIP WAFER
系列 : -
零件狀態 : Active
IGBT類型 : -
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大） : 1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大） : 50A
電流 - 集電極脈衝（ICM） : -
的VCE（on）（最大）Vge的，集成電路 : 2V @ 15V, 50A
功率 - 最大 : -
開關能量 : -
輸入類型 : Standard
柵極電荷 : 245nC
TD（開/關）@ 25℃ : 60ns/285ns
測試條件 : 600V, 50A, 5 Ohm, 15V
反向恢復時間（trr） : -
工作溫度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
封裝/箱體 : Die
供應商設備封裝 : Die
重量 : -
條件 : 新的和原始的
質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
AX-IRG8CH50K10F
簡要描述;簡介
IGBT CHIP WAFER
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
83800 件
參考價
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