PHD34NQ10T,118 數據表
規格 PHD34NQ10T,118
零件號 : PHD34NQ10T,118
製造商 : NXP USA Inc.
描述 : MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
系列 : TrenchMOS™
零件狀態 : Obsolete
FET型 : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss） : 100V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 35A (Tc)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） : 10V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 40 mOhm @ 17A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 : 4V @ 1mA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 40nC @ 10V
VGS（最大） : ±20V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 1704pF @ 25V
FET特點 : -
功率耗散（最大） : 136W (Tc)
工作溫度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : DPAK
封裝/箱體 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 : -
條件 : 新的和原始的
質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
24486 件
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