QS8J2TR 數據表
規格 QS8J2TR
零件號 : QS8J2TR
製造商 : Rohm Semiconductor
描述 : MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
系列 : -
零件狀態 : Active
FET型 : 2 P-Channel (Dual)
FET特點 : Logic Level Gate, 1.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss） : 12V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 4A
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 36 mOhm @ 4A, 4.5V
VGS（TH）（最大）標識 : 1V @ 1mA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 20nC @ 4.5V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 1940pF @ 6V
功率 - 最大 : 550mW
工作溫度 : 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
封裝/箱體 : 8-SMD, Flat Lead
供應商設備封裝 : TSMT8
重量 : -
條件 : 新的和原始的
質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
AX-QS8J2TR
簡要描述;簡介
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
1343695 件
參考價
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