RN1901FETE85LF 數據表
規格 RN1901FETE85LF
零件號 : RN1901FETE85LF
製造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
描述 : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
系列 : -
零件狀態 : Active
晶體管類型 : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極（Ic）（最大） : 100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大） : 50V
電阻 - 基（R 1） : 4.7 kOhms
電阻器 - 發射極基極（R2） : 4.7 kOhms
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce : 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和（最大）@ IB，IC : 300mV @ 250µA, 5mA
電流 - 集電極截止（最大） : 100nA (ICBO)
頻率 - 轉換 : 250MHz
功率 - 最大 : 100mW
安裝類型 : Surface Mount
封裝/箱體 : SOT-563, SOT-666
供應商設備封裝 : ES6
重量 : -
條件 : 新的和原始的
質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
簡要描述;簡介
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
6676285 件
參考價
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