SI4487DY-T1-GE3 數據表
規格 SI4487DY-T1-GE3
零件號 :
SI4487DY-T1-GE3
製造商 :
Vishay Siliconix
描述 :
MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
系列 :
TrenchFET®
零件狀態 :
Obsolete
FET型 :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss） :
30V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
11.6A (Tc)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） :
4.5V, 10V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
20.5 mOhm @ 10A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 :
2.5V @ 250µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
36nC @ 10V
VGS（最大） :
±25V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
1075pF @ 15V
FET特點 :
-
功率耗散（最大） :
2.5W (Ta), 5W (Tc)
工作溫度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 :
Surface Mount
供應商設備封裝 :
8-SO
封裝/箱體 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
10672 件
參考價
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