SI8410DB-T2-E1 數據表
規格 SI8410DB-T2-E1
零件號 : SI8410DB-T2-E1
製造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
系列 : TrenchFET®
零件狀態 : Active
FET型 : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss） : 20V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : -
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） : 1.5V, 4.5V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V
VGS（TH）（最大）標識 : 850mV @ 250µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 16nC @ 8V
VGS（最大） : ±8V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 620pF @ 10V
FET特點 : -
功率耗散（最大） : 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : 4-Micro Foot (1x1)
封裝/箱體 : 4-UFBGA
重量 : -
條件 : 新的和原始的
質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
926940 件
參考價
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