TK39J60W,S1VQ - MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

製造商零件編號

TK39J60W,S1VQ

內部零件號

AX-TK39J60W,S1VQ

製造商

Toshiba Semiconductor and Storage

簡要描述;簡介

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

RoHS狀態

無鉛/符合RoHS

交貨時間

1-2天

可用數量

57540 Pieces

參考價

~~USD 5.85~~

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規格 TK39J60W,S1VQ

質量保證 : 365天保修

庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷

出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件號 : TK39J60W,S1VQ

製造商 : Toshiba Semiconductor and Storage

描述 : MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

系列 : DTMOSIV

零件狀態 : Active

FET型 : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓（Vdss） : 600V

電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 38.8A (Ta)

驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） : 10V

RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 65 mOhm @ 19.4A, 10V

VGS（TH）（最大）標識 : 3.7V @ 1.9mA

柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 110nC @ 10V

VGS（最大） : ±30V

輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 4100pF @ 300V

FET特點 : Super Junction

功率耗散（最大） : 270W (Tc)

工作溫度 : 150°C (TJ)

安裝類型 : Through Hole

供應商設備封裝 : TO-3P(N)

封裝/箱體 : TO-3P-3, SC-65-3

重量 : -

條件 : 新的和原始的

相關鏈接 : TK39 , TK39J6

的文件 TK39J60W,S1VQ

數據表 : TK39J60W,S1VQ.pdf

相關產品 TK39J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage

零件號	牌	描述
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