DMJ70H900HJ3 - MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
製造商零件編號
內部零件號
AX-DMJ70H900HJ3
簡要描述;簡介
MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
323020 Pieces
參考價
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規格 DMJ70H900HJ3
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 :
DMJ70H900HJ3
製造商 :
Diodes Incorporated
描述 :
MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
系列 :
Automotive, AEC-Q101
零件狀態 :
Active
FET型 :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss） :
700V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
7A (Tc)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） :
10V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
900 mOhm @ 1.5A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 :
4V @ 250µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
18.4nC @ 10V
VGS（最大） :
±30V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
603pF @ 50V
FET特點 :
-
功率耗散（最大） :
68W (Tc)
工作溫度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 :
Through Hole
供應商設備封裝 :
TO-251
封裝/箱體 :
TO-251-3, IPak, Short Leads
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
的文件 DMJ70H900HJ3
數據表 :
DMJ70H900HJ3.pdf
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Murata Electronics North America |
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