IPG20N04S4L11ATMA1 - MOSFET 2N-CH 8TDSON
製造商零件編號
內部零件號
簡要描述;簡介
MOSFET 2N-CH 8TDSON
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
1012740 Pieces
參考價
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規格 IPG20N04S4L11ATMA1
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 :
IPG20N04S4L11ATMA1
製造商 :
Infineon Technologies
描述 :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
系列 :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件狀態 :
Active
FET型 :
2 N-Channel (Dual)
FET特點 :
Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss） :
40V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
20A
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
11.6 mOhm @ 17A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 :
2.2V @ 15µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
26nC @ 10V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
1990pF @ 25V
功率 - 最大 :
41W
工作溫度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型 :
Surface Mount
封裝/箱體 :
8-PowerVDFN
供應商設備封裝 :
PG-TDSON-8-4
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
的文件 IPG20N04S4L11ATMA1
數據表 :
IPG20N04S4L11ATMA1.pdf
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