SIZF916DT-T1-GE3 - MOSFET N-CH DUAL 30V

製造商零件編號

SIZF916DT-T1-GE3

內部零件號

AX-SIZF916DT-T1-GE3

製造商

Vishay Siliconix

簡要描述;簡介

MOSFET N-CH DUAL 30V

RoHS狀態

無鉛/符合RoHS

交貨時間

1-2天

可用數量

603435 Pieces

參考價

~~USD 0.46494~~

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規格 SIZF916DT-T1-GE3

質量保證 : 365天保修

庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷

出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件號 : SIZF916DT-T1-GE3

製造商 : Vishay Siliconix

描述 : MOSFET N-CH DUAL 30V

系列 : TrenchFET® Gen IV

零件狀態 : Active

FET型 : 2 N-Channel (Dual)

FET特點 : Standard

漏極至源極電壓（Vdss） : 30V

電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 23A (Ta), 40A (Tc)

RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V

VGS（TH）（最大）標識 : 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 22nC @ 10V, 95nC @ 10V

輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V

功率 - 最大 : 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)

工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型 : Surface Mount

封裝/箱體 : 8-PowerWDFN

供應商設備封裝 : 8-PowerPair® (6x5)

重量 : -

條件 : 新的和原始的

相關鏈接 : SIZF9 , SIZF916D

的文件 SIZF916DT-T1-GE3

數據表 : SIZF916DT-T1-GE3.pdf

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零件號	牌	描述
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