EPC2016C - GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
製造商零件編號
內部零件號
AX-EPC2016C
製造商
簡要描述;簡介
GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
445330 Pieces
參考價
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規格 EPC2016C
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 :
EPC2016C
製造商 :
EPC
描述 :
GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
系列 :
eGaN®
零件狀態 :
Active
FET型 :
N-Channel
技術 :
GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss） :
100V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
18A (Ta)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） :
5V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
16 mOhm @ 11A, 5V
VGS（TH）（最大）標識 :
2.5V @ 3mA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
4.5nC @ 5V
VGS（最大） :
+6V, -4V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
420pF @ 50V
FET特點 :
-
功率耗散（最大） :
-
工作溫度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 :
Surface Mount
供應商設備封裝 :
Die
封裝/箱體 :
Die
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
的文件 EPC2016C
數據表 :
EPC2016C.pdf
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