NGTD21T65F2WP - IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
182695 Pieces
參考價
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規格 NGTD21T65F2WP
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 :
NGTD21T65F2WP
製造商 :
ON Semiconductor
描述 :
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
系列 :
-
零件狀態 :
Active
IGBT類型 :
Trench Field Stop
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大） :
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大） :
-
電流 - 集電極脈衝（ICM） :
200A
的VCE（on）（最大）Vge的，集成電路 :
1.9V @ 15V, 45A
功率 - 最大 :
-
開關能量 :
-
輸入類型 :
Standard
柵極電荷 :
-
TD（開/關）@ 25℃ :
-
測試條件 :
-
反向恢復時間（trr） :
-
工作溫度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型 :
Surface Mount
封裝/箱體 :
Die
供應商設備封裝 :
Die
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
的文件 NGTD21T65F2WP
數據表 :
NGTD21T65F2WP.pdf
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