VQ1001P-E3 - MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
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1-2天
可用數量
28413 Pieces
參考價
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規格 VQ1001P-E3

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : VQ1001P-E3
製造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
系列 : -
零件狀態 : Obsolete
FET型 : 4 N-Channel
FET特點 : Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss) : 30V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 830mA
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 1.75 Ohm @ 200mA, 5V
VGS(TH)(最大)標識 : 2.5V @ 1mA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : -
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 110pF @ 15V
功率 - 最大 : 2W
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Through Hole
封裝/箱體 : -
供應商設備封裝 : 14-DIP
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : VQ1 , VQ100

的文件 VQ1001P-E3

數據表 : VQ1001P-E3.pdf

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