CSD25211W1015 - MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
製造商零件編號
內部零件號
簡要描述;簡介
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
2514010 Pieces
參考價
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規格 CSD25211W1015
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 :
CSD25211W1015
製造商 :
Texas Instruments
描述 :
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
系列 :
NexFET™
零件狀態 :
Active
FET型 :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss） :
20V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
3.2A (Ta)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） :
2.5V, 4.5V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
33 mOhm @ 1.5A, 4.5V
VGS（TH）（最大）標識 :
1.1V @ 250µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
4.1nC @ 4.5V
VGS（最大） :
-6V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
570pF @ 10V
FET特點 :
-
功率耗散（最大） :
1W (Ta)
工作溫度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 :
Surface Mount
供應商設備封裝 :
6-DSBGA (1x1.5)
封裝/箱體 :
6-UFBGA, DSBGA
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
的文件 CSD25211W1015
數據表 :
CSD25211W1015.pdf
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