EPC8009 - GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
製造商零件編號
內部零件號
AX-EPC8009
製造商
簡要描述;簡介
GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
185550 Pieces
參考價
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規格 EPC8009
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 :
EPC8009
製造商 :
EPC
描述 :
GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
系列 :
eGaN®
零件狀態 :
Active
FET型 :
N-Channel
技術 :
GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss） :
65V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
2.7A (Ta)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） :
5V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
130 mOhm @ 500mA, 5V
VGS（TH）（最大）標識 :
2.5V @ 250µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
0.45nC @ 5V
VGS（最大） :
+6V, -4V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
52pF @ 32.5V
FET特點 :
-
功率耗散（最大） :
-
工作溫度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 :
Surface Mount
供應商設備封裝 :
Die
封裝/箱體 :
Die
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
的文件 EPC8009
數據表 :
EPC8009.pdf
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