GA10SICP12-263 - TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
製造商零件編號
內部零件號
簡要描述;簡介
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
23443 Pieces
參考價
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規格 GA10SICP12-263
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 :
GA10SICP12-263
製造商 :
GeneSiC Semiconductor
描述 :
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
系列 :
-
零件狀態 :
Active
FET型 :
-
技術 :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss） :
1200V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
25A (Tc)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） :
-
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
100 mOhm @ 10A
VGS（TH）（最大）標識 :
-
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
-
VGS（最大） :
-
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
1403pF @ 800V
FET特點 :
-
功率耗散（最大） :
170W (Tc)
工作溫度 :
175°C (TJ)
安裝類型 :
Surface Mount
供應商設備封裝 :
D2PAK (7-Lead)
封裝/箱體 :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
的文件 GA10SICP12-263
數據表 :
GA10SICP12-263.pdf
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