IPD65R660CFDBTMA1 - MOSFET N-CH 650V 6A TO252

製造商零件編號
內部零件號
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
669400 Pieces
參考價
USD 0.419124
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規格 IPD65R660CFDBTMA1

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : IPD65R660CFDBTMA1
製造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET N-CH 650V 6A TO252
系列 : CoolMOS™
零件狀態 : Not For New Designs
FET型 : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss) : 650V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 6A (Tc)
驅動電壓(最大RDS(ON),閔RDS(ON)) : 10V
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 660 mOhm @ 2.1A, 10V
VGS(TH)(最大)標識 : 4.5V @ 200µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 22nC @ 10V
VGS(最大) : ±20V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 615pF @ 100V
FET特點 : -
功率耗散(最大) : 62.5W (Tc)
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : PG-TO252-3
封裝/箱體 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : IPD65 , IPD65R66

的文件 IPD65R660CFDBTMA1

數據表 : IPD65R660CFDBTMA1.pdf

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