SI5915BDC-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
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1-2天
可用數量
27839 Pieces
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規格 SI5915BDC-T1-GE3

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : SI5915BDC-T1-GE3
製造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
系列 : TrenchFET®
零件狀態 : Obsolete
FET型 : 2 P-Channel (Dual)
FET特點 : Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss) : 8V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 4A
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V
VGS(TH)(最大)標識 : 1V @ 250µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 14nC @ 8V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 420pF @ 4V
功率 - 最大 : 3.1W
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
封裝/箱體 : 8-SMD, Flat Lead
供應商設備封裝 : 1206-8 ChipFET™
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : SI591 , SI5915BD

的文件 SI5915BDC-T1-GE3

數據表 : SI5915BDC-T1-GE3.pdf

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