BSP149H6327XTSA1 - MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

製造商零件編號
內部零件號
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
744590 Pieces
參考價
USD 0.3768
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規格 BSP149H6327XTSA1

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : BSP149H6327XTSA1
製造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
系列 : SIPMOS®
零件狀態 : Active
FET型 : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss) : 200V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 660mA (Ta)
驅動電壓(最大RDS(ON),閔RDS(ON)) : 0V, 10V
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 1.8 Ohm @ 660mA, 10V
VGS(TH)(最大)標識 : 1V @ 400µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 14nC @ 5V
VGS(最大) : ±20V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 430pF @ 25V
FET特點 : Depletion Mode
功率耗散(最大) : 1.8W (Ta)
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : PG-SOT223-4
封裝/箱體 : TO-261-4, TO-261AA
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : BSP14 , BSP149H6

的文件 BSP149H6327XTSA1

數據表 : BSP149H6327XTSA1.pdf

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