SI5509DC-T1-E3 - MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

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內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
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1-2天
可用數量
26873 Pieces
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規格 SI5509DC-T1-E3

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : SI5509DC-T1-E3
製造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
系列 : TrenchFET®
零件狀態 : Obsolete
FET型 : N and P-Channel
FET特點 : Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss) : 20V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 6.1A, 4.8A
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 52 mOhm @ 5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)標識 : 2V @ 250µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 6.6nC @ 5V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 455pF @ 10V
功率 - 最大 : 4.5W
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
封裝/箱體 : 8-SMD, Flat Lead
供應商設備封裝 : 1206-8 ChipFET™
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : SI55 , SI5509D

的文件 SI5509DC-T1-E3

數據表 : SI5509DC-T1-E3.pdf

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