SI4200DY-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
1839160 Pieces
參考價
USD 0.15255
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規格 SI4200DY-T1-GE3

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : SI4200DY-T1-GE3
製造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
系列 : TrenchFET®
零件狀態 : Obsolete
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特點 : Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss) : 25V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 8A
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 25 mOhm @ 7.3A, 10V
VGS(TH)(最大)標識 : 2.2V @ 250µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 12nC @ 10V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 415pF @ 13V
功率 - 最大 : 2.8W
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
封裝/箱體 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備封裝 : 8-SO
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : SI420 , SI4200D

的文件 SI4200DY-T1-GE3

數據表 : SI4200DY-T1-GE3.pdf

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