APTM100H46FT3G - MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

製造商零件編號
內部零件號
簡要描述;簡介
MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
14840 Pieces
參考價
USD 30.2193
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規格 APTM100H46FT3G

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : APTM100H46FT3G
製造商 : Microsemi Corporation
描述 : MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
系列 : POWER MOS 8™
零件狀態 : Active
FET型 : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET特點 : Standard
漏極至源極電壓(Vdss) : 1000V (1kV)
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 19A
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 552 mOhm @ 16A, 10V
VGS(TH)(最大)標識 : 5V @ 2.5mA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 260nC @ 10V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 6800pF @ 25V
功率 - 最大 : 357W
工作溫度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Chassis Mount
封裝/箱體 : SP3
供應商設備封裝 : SP3
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : APTM , APTM100

的文件 APTM100H46FT3G

數據表 : APTM100H46FT3G.pdf

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