SIHU2N80E-GE3 - MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
267200 Pieces
參考價
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規格 SIHU2N80E-GE3
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 :
SIHU2N80E-GE3
製造商 :
Vishay Siliconix
描述 :
MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
系列 :
E
零件狀態 :
Active
FET型 :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss） :
800V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
2.8A (Tc)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） :
10V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
2.75 Ohm @ 1A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 :
4V @ 250µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
19.6nC @ 10V
VGS（最大） :
±30V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
315pF @ 100V
FET特點 :
-
功率耗散（最大） :
62.5W (Tc)
工作溫度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 :
Through Hole
供應商設備封裝 :
IPAK (TO-251)
封裝/箱體 :
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
的文件 SIHU2N80E-GE3
數據表 :
SIHU2N80E-GE3.pdf
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