EPC2019 - GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE

製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
265075 Pieces
參考價
USD 1.0584
我們的價格
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規格 EPC2019

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : EPC2019
製造商 : EPC
描述 : GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
系列 : eGaN®
零件狀態 : Active
FET型 : N-Channel
技術 : GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓(Vdss) : 200V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 8.5A (Ta)
驅動電壓(最大RDS(ON),閔RDS(ON)) : 5V
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 50 mOhm @ 7A, 5V
VGS(TH)(最大)標識 : 2.5V @ 1.5mA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 2.5nC @ 5V
VGS(最大) : +6V, -4V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 270pF @ 100V
FET特點 : -
功率耗散(最大) : -
工作溫度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : Die
封裝/箱體 : Die
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : EP , EPC

的文件 EPC2019

數據表 : EPC2019.pdf

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