CSD25304W1015 - MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
2395525 Pieces
參考價
USD 0.11712
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規格 CSD25304W1015

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : CSD25304W1015
製造商 : Texas Instruments
描述 : MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
系列 : NexFET™
零件狀態 : Active
FET型 : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss) : 20V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 3A (Ta)
驅動電壓(最大RDS(ON),閔RDS(ON)) : 1.8V, 4.5V
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)標識 : 1.15V @ 250µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 4.4nC @ 4.5V
VGS(最大) : ±8V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 595pF @ 10V
FET特點 : -
功率耗散(最大) : 750mW (Ta)
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : 6-DSBGA
封裝/箱體 : 6-UFBGA, DSBGA
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : CSD2 , CSD253

的文件 CSD25304W1015

數據表 : CSD25304W1015.pdf

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