SI1404BDH-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363

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製造商
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
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1-2天
可用數量
1954465 Pieces
參考價
USD 0.14355
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規格 SI1404BDH-T1-GE3

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : SI1404BDH-T1-GE3
製造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
系列 : TrenchFET®
零件狀態 : Active
FET型 : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss) : 30V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
驅動電壓(最大RDS(ON),閔RDS(ON)) : 2.5V, 4.5V
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 238 mOhm @ 1.9A, 4.5V
VGS(TH)(最大)標識 : 1.3V @ 250µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 2.7nC @ 4.5V
VGS(最大) : ±12V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 100pF @ 15V
FET特點 : -
功率耗散(最大) : 1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : SC-70-6 (SOT-363)
封裝/箱體 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : SI140 , SI1404BD

的文件 SI1404BDH-T1-GE3

數據表 : SI1404BDH-T1-GE3.pdf

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