TPW1R306PL,L1Q - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

製造商零件編號
內部零件號
簡要描述;簡介
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
333995 Pieces
參考價
USD 0.84
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規格 TPW1R306PL,L1Q

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : TPW1R306PL,L1Q
製造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
描述 : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
系列 : U-MOSIX-H
零件狀態 : Active
FET型 : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss) : 60V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 260A (Tc)
驅動電壓(最大RDS(ON),閔RDS(ON)) : 4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 1.29 mOhm @ 50A, 10V
VGS(TH)(最大)標識 : 2.5V @ 1mA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 91nC @ 10V
VGS(最大) : ±20V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 8100pF @ 30V
FET特點 : -
功率耗散(最大) : 960mW (Ta), 170W (Tc)
工作溫度 : 175°C
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : 8-DSOP Advance
封裝/箱體 : 8-PowerVDFN
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : TPW1 , TPW1R30

的文件 TPW1R306PL,L1Q

數據表 : TPW1R306PL,L1Q.pdf

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