IRF6641TR1PBF - MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

製造商零件編號
內部零件號
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
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1-2天
可用數量
9253 Pieces
參考價
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規格 IRF6641TR1PBF

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : IRF6641TR1PBF
製造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
系列 : HEXFET®
零件狀態 : Obsolete
FET型 : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss) : 200V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 4.6A (Ta), 26A (Tc)
驅動電壓(最大RDS(ON),閔RDS(ON)) : 10V
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 59.9 mOhm @ 5.5A, 10V
VGS(TH)(最大)標識 : 4.9V @ 150µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 48nC @ 10V
VGS(最大) : ±20V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 2290pF @ 25V
FET特點 : -
功率耗散(最大) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : DIRECTFET™ MZ
封裝/箱體 : DirectFET™ Isometric MZ
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : IRF6 , IRF664

的文件 IRF6641TR1PBF

數據表 : IRF6641TR1PBF.pdf

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