SIR882DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
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1-2天
可用數量
364215 Pieces
參考價
USD 0.77031
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規格 SIR882DP-T1-GE3

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : SIR882DP-T1-GE3
製造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
系列 : TrenchFET®
零件狀態 : Active
FET型 : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss) : 100V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 60A (Tc)
驅動電壓(最大RDS(ON),閔RDS(ON)) : 4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 8.7 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)標識 : 2.8V @ 250µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 58nC @ 10V
VGS(最大) : ±20V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 1930pF @ 50V
FET特點 : -
功率耗散(最大) : 5.4W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : PowerPAK® SO-8
封裝/箱體 : PowerPAK® SO-8
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : SIR88 , SIR882D

的文件 SIR882DP-T1-GE3

數據表 : SIR882DP-T1-GE3.pdf

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