IPG20N06S4L26ATMA1 - MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8

製造商零件編號
內部零件號
簡要描述;簡介
MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
1155125 Pieces
參考價
USD 0.242886
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規格 IPG20N06S4L26ATMA1

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : IPG20N06S4L26ATMA1
製造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
系列 : OptiMOS™
零件狀態 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特點 : Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss) : 60V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 20A
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 26 mOhm @ 17A, 10V
VGS(TH)(最大)標識 : 2.2V @ 10µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 20nC @ 10V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 1430pF @ 25V
功率 - 最大 : 33W
工作溫度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
封裝/箱體 : 8-PowerVDFN
供應商設備封裝 : PG-TDSON-8-4
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : IPG20N , IPG20N06S

的文件 IPG20N06S4L26ATMA1

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零件號 描述 購買

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