SI5475BDC-T1-GE3 - MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

製造商零件編號

SI5475BDC-T1-GE3

內部零件號

AX-SI5475BDC-T1-GE3

製造商

Vishay Siliconix

簡要描述;簡介

MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

RoHS狀態

無鉛/符合RoHS

交貨時間

1-2天

可用數量

11584 Pieces

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規格 SI5475BDC-T1-GE3

質量保證 : 365天保修

庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷

出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件號 : SI5475BDC-T1-GE3

製造商 : Vishay Siliconix

描述 : MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

系列 : TrenchFET®

零件狀態 : Obsolete

FET型 : P-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓（Vdss） : 12V

電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 6A (Ta)

驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） : 1.8V, 4.5V

RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 28 mOhm @ 5.6A, 4.5V

VGS（TH）（最大）標識 : 1V @ 250µA

柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 40nC @ 8V

VGS（最大） : ±8V

輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 1400pF @ 6V

FET特點 : -

功率耗散（最大） : 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)

工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型 : Surface Mount

供應商設備封裝 : 1206-8 ChipFET™

封裝/箱體 : 8-SMD, Flat Lead

重量 : -

條件 : 新的和原始的

相關鏈接 : SI547 , SI5475BD

的文件 SI5475BDC-T1-GE3

數據表 : SI5475BDC-T1-GE3.pdf

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零件號	牌	描述
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