SIA427DJ-T1-GE3 - MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
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1-2天
可用數量
2072445 Pieces
參考價
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規格 SIA427DJ-T1-GE3

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : SIA427DJ-T1-GE3
製造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
系列 : TrenchFET®
零件狀態 : Active
FET型 : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss) : 8V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 12A (Tc)
驅動電壓(最大RDS(ON),閔RDS(ON)) : 1.2V, 4.5V
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
VGS(TH)(最大)標識 : 800mV @ 250µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 50nC @ 5V
VGS(最大) : ±5V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 2300pF @ 4V
FET特點 : -
功率耗散(最大) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : PowerPAK® SC-70-6 Single
封裝/箱體 : PowerPAK® SC-70-6
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : SIA42 , SIA427D

的文件 SIA427DJ-T1-GE3

數據表 : SIA427DJ-T1-GE3.pdf

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