TPS1101DRG4 - MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
481965 Pieces
參考價
USD 0.58212
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規格 TPS1101DRG4

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : TPS1101DRG4
製造商 : Texas Instruments
描述 : MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
系列 : -
零件狀態 : Active
FET型 : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss) : 15V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 2.3A (Ta)
驅動電壓(最大RDS(ON),閔RDS(ON)) : 2.7V, 10V
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 90 mOhm @ 2.5A, 10V
VGS(TH)(最大)標識 : 1.5V @ 250µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 11.25nC @ 10V
VGS(最大) : +2V, -15V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : -
FET特點 : -
功率耗散(最大) : 791mW (Ta)
工作溫度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : 8-SOIC
封裝/箱體 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : TPS , TPS11

的文件 TPS1101DRG4

數據表 : TPS1101DRG4.pdf

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