IRFHM8363TR2PBF - MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

製造商零件編號
內部零件號
簡要描述;簡介
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
28035 Pieces
參考價
USD 0
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規格 IRFHM8363TR2PBF

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : IRFHM8363TR2PBF
製造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
系列 : HEXFET®
零件狀態 : Obsolete
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特點 : Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss) : 30V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 11A
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 14.9 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)標識 : 2.35V @ 25µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 15nC @ 10V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 1165pF @ 10V
功率 - 最大 : 2.7W
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
封裝/箱體 : 8-PowerVDFN
供應商設備封裝 : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : IRFHM , IRFHM83

的文件 IRFHM8363TR2PBF

數據表 : IRFHM8363TR2PBF.pdf

相關產品 IRFHM8363TR2PBF Infineon Technologies

零件號 描述 購買

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