SI4966DY-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
27811 Pieces
參考價
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規格 SI4966DY-T1-GE3
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 :
SI4966DY-T1-GE3
製造商 :
Vishay Siliconix
描述 :
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
系列 :
TrenchFET®
零件狀態 :
Obsolete
FET型 :
2 N-Channel (Dual)
FET特點 :
Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss） :
20V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
-
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
VGS（TH）（最大）標識 :
1.5V @ 250µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
50nC @ 4.5V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
-
功率 - 最大 :
2W
工作溫度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 :
Surface Mount
封裝/箱體 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備封裝 :
8-SO
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
的文件 SI4966DY-T1-GE3
數據表 :
SI4966DY-T1-GE3.pdf
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