SI7909DN-T1-E3 - MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

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內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
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1-2天
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27909 Pieces
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規格 SI7909DN-T1-E3

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : SI7909DN-T1-E3
製造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
系列 : TrenchFET®
零件狀態 : Obsolete
FET型 : 2 P-Channel (Dual)
FET特點 : Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss) : 12V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 5.3A
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V
VGS(TH)(最大)標識 : 1V @ 700µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 24nC @ 4.5V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : -
功率 - 最大 : 1.3W
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
封裝/箱體 : PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備封裝 : PowerPAK® 1212-8 Dual
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : SI79 , SI7909D

的文件 SI7909DN-T1-E3

數據表 : SI7909DN-T1-E3.pdf

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