TPN1110ENH,L1Q - MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

製造商零件編號
內部零件號
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
755665 Pieces
參考價
USD 0.37128
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規格 TPN1110ENH,L1Q

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : TPN1110ENH,L1Q
製造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
描述 : MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
系列 : U-MOSVIII-H
零件狀態 : Active
FET型 : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss) : 200V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 7.2A (Ta)
驅動電壓(最大RDS(ON),閔RDS(ON)) : 10V
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 114 mOhm @ 3.6A, 10V
VGS(TH)(最大)標識 : 4V @ 200µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 7nC @ 10V
VGS(最大) : ±20V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 600pF @ 100V
FET特點 : -
功率耗散(最大) : 700mW (Ta), 39W (Tc)
工作溫度 : 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
封裝/箱體 : 8-PowerVDFN
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : TPN1 , TPN1110

的文件 TPN1110ENH,L1Q

數據表 : TPN1110ENH,L1Q.pdf

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零件號 描述 購買

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