BUK652R1-30C,127 - MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
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1-2天
可用數量
62250 Pieces
參考價
USD 0
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規格 BUK652R1-30C,127

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : BUK652R1-30C,127
製造商 : NXP USA Inc.
描述 : MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
系列 : TrenchMOS™
零件狀態 : Obsolete
FET型 : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss) : 30V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 120A (Tc)
驅動電壓(最大RDS(ON),閔RDS(ON)) : 4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 2.4 mOhm @ 25A, 10V
VGS(TH)(最大)標識 : 2.8V @ 1mA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 168nC @ 10V
VGS(最大) : ±16V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 10918pF @ 25V
FET特點 : -
功率耗散(最大) : 263W (Tc)
工作溫度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型 : Through Hole
供應商設備封裝 : TO-220AB
封裝/箱體 : TO-220-3
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : BUK65 , BUK652R1

的文件 BUK652R1-30C,127

數據表 : BUK652R1-30C,127.pdf

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