IPAN65R650CEXKSA1 - MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3

製造商零件編號
內部零件號
簡要描述;簡介
MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
359690 Pieces
參考價
USD 0.78
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規格 IPAN65R650CEXKSA1

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : IPAN65R650CEXKSA1
製造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
系列 : CoolMOS™
零件狀態 : Active
FET型 : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss) : 650V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 10.1A (Tc)
驅動電壓(最大RDS(ON),閔RDS(ON)) : 10V
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 650 mOhm @ 2.1A, 10V
VGS(TH)(最大)標識 : 3.5V @ 210µA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 23nC @ 10V
VGS(最大) : ±20V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 440pF @ 100V
FET特點 : Super Junction
功率耗散(最大) : 28W (Tc)
工作溫度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Through Hole
供應商設備封裝 : PG-TO220 Full Pack
封裝/箱體 : TO-220-3 Full Pack
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : IPAN6 , IPAN65R6

的文件 IPAN65R650CEXKSA1

數據表 : IPAN65R650CEXKSA1.pdf

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