SI7956DP-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

製造商零件編號

SI7956DP-T1-E3

內部零件號

AX-SI7956DP-T1-E3

製造商

Vishay Siliconix

簡要描述;簡介

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

RoHS狀態

無鉛/符合RoHS

交貨時間

1-2天

可用數量

262430 Pieces

參考價

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規格 SI7956DP-T1-E3

質量保證 : 365天保修

庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷

出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件號 : SI7956DP-T1-E3

製造商 : Vishay Siliconix

描述 : MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

系列 : TrenchFET®

零件狀態 : Active

FET型 : 2 N-Channel (Dual)

FET特點 : Logic Level Gate

漏極至源極電壓（Vdss） : 150V

電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 2.6A

RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 105 mOhm @ 4.1A, 10V

VGS（TH）（最大）標識 : 4V @ 250µA

柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 26nC @ 10V

輸入電容（CISS）（最大）的Vds : -

功率 - 最大 : 1.4W

工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型 : Surface Mount

封裝/箱體 : PowerPAK® SO-8 Dual

供應商設備封裝 : PowerPAK® SO-8 Dual

重量 : -

條件 : 新的和原始的

相關鏈接 : SI79 , SI7956D

的文件 SI7956DP-T1-E3

數據表 : SI7956DP-T1-E3.pdf

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零件號	牌	描述
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