RQ3E100GNTB - MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

製造商零件編號
內部零件號
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
3373785 Pieces
參考價
USD 0.08316
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規格 RQ3E100GNTB

質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : RQ3E100GNTB
製造商 : Rohm Semiconductor
描述 : MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT
系列 : -
零件狀態 : Active
FET型 : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss) : 30V
電流 - 連續漏極(Id)@ 25℃ : 10A (Ta)
驅動電壓(最大RDS(ON),閔RDS(ON)) : 4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)標識,Vgs的 : 11.7 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)標識 : 2.5V @ 1mA
柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 7.9nC @ 10V
VGS(最大) : ±20V
輸入電容(CISS)(最大)的Vds : 420pF @ 15V
FET特點 : -
功率耗散(最大) : 2W (Ta), 15W (Tc)
工作溫度 : 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : 8-HSMT (3.2x3)
封裝/箱體 : 8-PowerVDFN
重量 : -
條件 : 新的和原始的
相關鏈接 : RQ3 , RQ3E1

的文件 RQ3E100GNTB

數據表 : RQ3E100GNTB.pdf

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